Os materiais semicondutores atraem muita atenção
principalmente porque são matéria-prima indispensável à
preparação de uma série de dispositivos ópticos e eletrônicos
(transistores, retificadores, células fotoelétricas, lasers,
células solares etc.) responsáveis, nas últimas décadas, por uma
revolução tecnológica em nossas vidas, sobretudo nas áreas de
comunicações e informática. Mas o que diferencia um material
semicondutor dos materiais isolantes e dos condutores (ou metais)? A
denominação justifica-se por sua resistividade elétrica, situada
entre a dos materiais bons condutores e a dos isolantes. As
diferenças de condutividade elétrica desses materiais podem ser
mais bem entendidas com o auxílio da mecânica quântica. Admite-se
que os elétrons – que nos átomos isolados possuem níveis
discretos de energia – têm, em um material sólido, seus níveis
de energia agrupados, formando regiões largas de energia chamadas
‘bandas de energia’. Estas são separadas por regiões
(barreiras) de energia proibidas aos elétrons. Para a condução
ocorrer em um dado material, seus elétrons devem poder vencer a
barreira de energia proibida, através do fornecimento de energia
externa. Em um caso extremo, em que a barreira é muito grande, é
impossível ocorrer a transposição entre as bandas, o que explica a
existência dos materiais isolantes. Mas nos metais a ligação dos
átomos se dá de tal forma que os elétrons livres tornam-se
disponíveis após a formação das bandas; resulta daí a
inexistência da região de energias proibidas. Por isso é possível
conseguir a condução eletrônica fornecendo pequenas quantidades de
energia. O caso intermediário – em que a barreira entre as bandas
existe mas é moderada – corresponde aos semicondutores. Outra
característica é que sua condutividade pode ser controlada através
da introdução de impurezas – a chamada ‘dopagem’. Para um
dado semicondutor, dependendo da impureza (elemento) dopante, a
dopagem pode produzir um material carregado negativa ou
positivamente. A combinação desses dois tipos de materiais gera
dispositivos com propriedades elétricas particulares, que permitem o
controle dos sinais elétricos (diodos, transistores). Essa técnica
é empregada na preparação de dispositivos elétricos e de
circuitos integrados. Possuem propriedades semicondutoras materiais
formados por elementos da coluna IV da Tabela Periódica, silício
(Si) e germânio (Ge); compostos binários formados por elementos das
colunas III e V (GaAs, GaSb, InSb, InP etc.); das colunas II e VI
(CdSe, Cte, Cu2S);
das colunas IV-VI (PbS, PbSe, PbTe); compostos ternários (AlGaAs) e
quaternários (InGaAsP). O semicondutor mais utilizado na eletrônica
é ainda o Si, mas muitas aplicações – lasers, por exemplo –
são feitas atualmente com semicondutores compostos, como o GaAs
(arseneto de gálio). Os avanços mais recentes vêm da tecnologia
que permite preparar os semicondutores com controle em nível
atômico, camada após camada. Uma das técnicas de fabricação de
maior sucesso é a chamada de epitaxia por feixes moleculares, em que
o material é crescido, em altíssimo vácuo, a partir de feixes
moleculares das suas espécies constituintes. Controla-se com grande
precisão a composição, a dopagem e a espessura dos filmes finos
assim produzidos, que podem medir apenas algumas camadas atômicas e
têm alta qualidade cristalina. Assim, preparam-se, por exemplo, as
super-redes – nanoestruturas semicondutoras feitas de camadas
alternadas de semicondutores (como GaAs e AlAs). Esses semicondutores
nanoestruturados apresentam propriedades ópticas e eletrônicas
diferentes das de seus constituintes e que podem ser manipuladas
durante o crescimento. Aliando-se a isso a viabilidade de fabricar
estruturas de dimensões muito reduzidas a partir desses novos
materiais, é possível obter dispositivos ópticos e eletrônicos de
alta velocidade (chamados dispositivos ‘quânticos’ por operarem
em regimes em que os fenômenos físicos são descritos pela mecânica
quântica). Os impactos esperados justificam as pesquisas
tecnocientíficas que hoje movem esforços monumentais no
aprimoramento dos dispositivos já disponíveis e na busca de novas
soluções (José
Cláudio Galzerani, Departamento
de Física, Universidade Federal de São Carlos, Ciência Hoje, 06/
2004).
é muito grande podia ser mais preciso
ResponderExcluirRs!
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